HMDS專用烘箱，HMDS真空涂膠系統(tǒng)性能：

涂布方式：氣相沉積

使用溫度：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

設(shè)備材質(zhì)：內(nèi)箱采用316L醫(yī)用不銹鋼

運行方式：一鍵運行，自動完成工藝處理，并有結(jié)束提示音

尺寸大?。?50*450*450mm

兼容性：2-12寸晶圓及方片等

儲液瓶：HMDS儲液量1000ml 

真空泵：進口干式真空泵

數(shù)據(jù)處理：多個工藝配方存儲，使用數(shù)據(jù)記錄

保護裝置：低液位報警，HMDS藥液泄漏報警，超溫保護并斷開加熱，漏電保護等

HMDS專用烘箱，HMDS真空涂膠系統(tǒng)適用行業(yè)

MEMS、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導體材料。

SiC碳化硅（HMDS預(yù)處理系統(tǒng)）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

碳化硅原材料核心優(yōu)勢體現(xiàn)在：

（1）耐高壓：更低的阻抗、更寬的禁帶寬度，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率；

（2）耐高頻：SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關(guān)速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度；

（3）耐高溫：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。

    相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。

碳化硅晶片應(yīng)用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)，主要用于5G通信、車載通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。