硅片HMDS涂布機臺，4寸Wafer hmds烤箱的作用：

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻 的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥 基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會 侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕 容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將 HMDS 涂到硅片 表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

硅片HMDS涂布機臺，4寸Wafer hmds烤箱的工作原理：

   首先確定烘箱工作溫度，打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后，開始充人氮氣，充到達(dá)到某低真空度后，再次進(jìn)行抽真空、充入氮氣的過程，到達(dá)設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入 HMDS氣體，在到達(dá)設(shè)定時間后，停止充入 HMDS 藥液，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與 HMDS 反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程。HMDS 與硅片反應(yīng)機理：首先加熱到 150℃ -170℃，去除硅片表面的水分，然后 HMDS 與表面的 OH 一反應(yīng)，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。

的注意事項：

尾氣排放：多余的 HMDS 蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集 管道時需做專門處理。